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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2832
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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