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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
65
En -51% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
43
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2260
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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