RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
65
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2362
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link