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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
65
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2362
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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