RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2942
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology HYQVF1B16 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link