Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Puntuación global

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

56 71

En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 15.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.9 1,501.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 4200

En 4.57 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

381 1757

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns