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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
71
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
71
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
1757
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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