RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
77
En -208% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.7
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
5.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1966
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link