RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
77
En -108% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3170
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link