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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2776
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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