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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
3,405.2
14.7
写入速度,GB/s
2,622.0
9.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2776
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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