RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3446
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link