RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3446
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link