RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3127
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link