RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3127
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link