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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
77
En -328% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3286
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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