Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 21.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 16.7

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 77

Около -328% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 18
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 21.1
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3286

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

модули RAM