RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3300
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link