RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3300
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link