RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2505
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link