RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2505
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link