RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2355
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link