RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2516
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link