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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
77
En -267% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3202
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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