RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3202
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link