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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2619
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.M16FM 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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