RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
77
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3956
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link