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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
77
En -267% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4119
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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