RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
77
Intorno -267% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
21
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
18.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
4119
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link