RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
77
En -148% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3039
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link