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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
67
77
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
67
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2042
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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