RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
77
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
67
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2042
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905403-870.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link