RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link