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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
77
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2031
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
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