RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2031
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link