RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
77
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
66
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1953
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link