RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
77
Autour de -17% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
66
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1953
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link