RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
77
En -267% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2772
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link