RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2772
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link