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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
77
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1827
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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