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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Razões a considerar
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
77
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.6
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1827
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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