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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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