RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
21.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link