RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
77
En -51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
51
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2720
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link