RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
77
En -221% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2438
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link