RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 16G2666CL19 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2438
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link