RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2892
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link