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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
15.4
写入速度,GB/s
2,622.0
10.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2892
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
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