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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
12.3
19.4
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3364
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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