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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
8.9
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2852
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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